龍仁および平沢におけるメガファブ拡張計画
世界的な人工知能アクセラレータおよび高帯域幅メモリ需要の急伸に対応するため、韓国の半導体大手サムスン電子とSKハイニックスは先端製造拠点への投資計画を大幅に前倒ししています。平沢キャンパス第4ラインおよび第5ラインのクリーンルーム整備に加え、龍仁半導体メガクラスタにおける新工場着工が急ピッチで進展しています。
今回の投資は単なる生産能力の拡大にとどまらず、2nm以下の超微細プロセス導入や16層積層HBM4の量産ライン構築を直接的な標的としています。次世代半導体製造における主導権を盤石なものにするため、両社合計で数十兆ウォン規模の設備投資枠が割り当てられました。
- 平沢第4ラインにおけるファウンドリおよびHBM専用クリーンルームの早期竣工
- SKハイニックス龍仁クラスタ第1工場の着工と先端パッケージング施設整備
- EUV(極端紫外線)露光装置および高NA露光設備の優先調達体制確立
HBM4および先端パッケージングへの投資集中
AIデータセンター向けGPUに不可欠なHBM市場において、SKハイニックスはHBM3Eに続きHBM4の早期量産体制を確立すべく、清州および龍仁のパッケージングラインに大規模な資金を注入しています。先端の熱圧縮非導電性フィルム技術やMR-MUF技術の高度化が鍵を握ります。
一方、サムスン電子はメモリモジュールと先端ロジックファウンドリを自社で一括提供できる「ターンキーソリューション」の強みを活かし、自社ファブ内での2.5D/3Dパッケージングラインの増設に全力を注いでいます。
「次世代AI半導体の勝敗は、ウエハー処理の微細化だけでなく、先進的なパッケージング技術と安定した量産キャパシティの確保にかかっている。」
供給網の自前化とクリーンエネルギーインフラの整備
先端半導体ファブの安定稼働には、莫大な電力と超純水の持続的確保が不可欠です。両社は地域自治体および電力会社と協調し、高圧送電線網の敷設と再生可能エネルギー比率の引き上げを推進しています。また、製造装置や原材料のサプライチェーンにおける国内調達比率向上も投資の柱です。
さらに、クリーンルーム内における自動搬送システムのAI最適化制御や、省電力ファブ運用ソフトウェアの導入により、製造効率と環境負荷低減の両立を図っています。
主要仕様および指標データ
| 項目・技術仕様 | 標準パラメータ | ステータス / 備考 |
|---|---|---|
| 総投資予定規模 | 約470兆ウォン(両社合計ロードマップ) | 2030年までの段階的設備投資計画 |
| 主力ターゲット製品 | HBM4 (16層/20層) & 2nm ロジック | 先端AIアクセラレータ向け |
| 導入予定基幹設備 | High-NA EUV 露光装置 / 先端TSV | 次世代微細加工および三次元積層用 |
| 建設・稼働スケジュール | 2027年前半順次ライン稼働開始予定 | クリーンルーム先行完成順に装置搬入 |
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